Samsung dia nanambara ny drafitra momba ny orinasa semiconductor nandritra ny fihaonambe tany Etazonia. Nasehony ny tondrozotra mampiseho ny tetezamita tsikelikely mankany amin'ny 7nm LPP (Low Power Plus), 5nm LPE (Low Power Early), 4nm LPE/LPP ary 3nm Gate-All-Around Early/Plus teknolojia.
Hanomboka ny famokarana teknolojia 7nm LPP ilay goavambe Koreana Tatsimo, izay hampiasa lithography EUV, amin'ny tapany faharoa amin'ny taona ho avy, raha toa kosa ny TSMC mpifaninana dia te-hanomboka famokarana miaraka amin'ny dingana 7nm + nohatsaraina ary hanomboka famokarana mampidi-doza amin'ny dingana 5nm. .
Samsung dia hanomboka ny famokarana chipsets miaraka amin'ny dingana 5nm LPE amin'ny faran'ny taona 2019 sy ny dingana 4nm LPE/LPP mandritra ny 2020. Io no teknolojia 4nm izay ho lasa teknolojia farany hampiasa ny transistors FinFET. Na ny dingana 5nm sy 4nm dia antenaina hampihena ny haben'ny chipset, saingy amin'ny fotoana iray ihany dia mampitombo ny fampisehoana ary mampihena ny fanjifana.
Manomboka amin'ny teknolojia 3nm, ny orinasa dia hifindra amin'ny rafitra MBCFET (Multi Bridge Channel FET) GAA (Gate All Around). Raha mandeha araka ny drafitra ny zava-drehetra, dia tokony hamokatra chipsets amin'ny 3 amin'ny alàlan'ny dingana 2022nm.
